Valores percentuais e por unidade

1. Introdução

Os valores percentuais e os valores por unidade - também chamados de valores pu- correspondem a uma mudança de escada das grandezas principais em sistemas elétricos: tensão, corrente, potencia e impedância. Tal mudança facilita sobremaneira o cálculo de redes, especialmente quando existem transformadores nos sistemas em estudo.

2. Definições

Os valores percentuais e por unidade (pu) ou, ainda normalizados, correspondem simplesmente a uma mudança de escala nas grandezas principais ja mencionadas. Para relacionarmos o módulo dassas quarto grandezas elétricas em circuitos monofásicos dispomos de duas relações física independentes:

V= Z * I

S=V*I

Por esta razão ao trabalharmos com valores pu devemos, sempre definir duas grandezas fundamentais dentre as quatro grandezas, atribuido-lhes correspondentes valores que designaremos por valores de base. Os valores de base para as duas outras grandezas (grandezas derivadas) resultam imediatamente das relações acima. Assim, por exemplo, se fixarmos valores de base para tensão e potência, qualquer outra tensão e potência será expressa como uma percentagem (valor percentual) ou uma fração dessa grandeza (valor pu). Formalmente temos:

Vbase = V1 e Sbase=S1.

Assim, uma tensão qualquer, V, é expressa por:

V%= (V/Vbase)*100 (V percentual),

v= (V/Vbase) pu (v por unidade).

Analogamente, uma potência qualquer, S, é expressa por:

S%= (S/Sbase)*100 (S percentual),

s= (S/Sbase) pu (s por unidade).

Para a corrente e impedância, teremos, em vista das equações anteriores, os seguintes valores:

Ibase= Sbase/Vbase,    Zbase= Vbase/Ibase =V^2base/Sbase.

Analogamente, qualuqer corrente ou impedância será expressa por:

z= Z/Zbase= Z*(Sbase/V^2base) pu          e          Z%=100*z

i= I/Ibase= I* (Vbase/Sbase) pu                 e          I%= 100*i


3. Bibliografia

OLIVEIRA, C. C. B.; SCHMIDT, H. P.; KAGAN, N. ;ROBBA, E. J. Introdução aos Sistemas de Potência, Componentes Simétricas. Editora Egard Bluncher. São Paulo, 1996.

Componentes Simétricas

1. Definição

São mecanismos feitos para facilitar algumas resoluções analíticas de circuitos elétricos desequilibrados, como as máquinas elétricas polifásicas e alguns tipos de transformadores polifásicos. Consistem de grandezas positivas, negativas e de seqüência-zero. Basicamente os valores de seqüência-positiva são  aqueles presentes durante condições trifásicas equilibradas. As grandezas  de seqüência-negativa medem a quantidade de desbalanço existente no sistema de potência e as grandezas de seqüência-zero estão mais comumente associadas ao fato de se envolver a terra em condições de desbalanço. As componentes simétricas são usadas para calcular as condições de desbalanço de um sistema trifásico usando somente o cálculo monofásico. Isso simplifica enormemente o processo do cálculo das grandezas de falta nos sistemas de potência.


Segundo o teorema de Fortescue:"Um sistema desequilibrado de n fasores correlacionados  pode ser decomposto em n sistemas de fasores equilibrados  denominados componentes simétricos dos fasores originais. Os n fasores de cada conjunto de componentes são iguais em módulo e os ângulos entre fasores adjacentes do conjunto são iguais".

2. Sequencia positiva

consiste em três fasores de igual magnitude e defasados de 120º e na mesma seqüência de fases do sistema original. Oberve a figura 1.

Figura 1. Análise da sequencia positiva vetorialmente.

3. Sequencia negativa

consiste em três fasores de igual magnitude e defasados de 120º e em seqüência de fases contrária à do sistema original. Observe a figura 2.

Figura 2. Análise da sequencia negativa vetorialmente.

4. Sequencia zero

consiste em três fasores de iguais magnitude e fase angular. Analise a figura 3.

Figura 3. Análise da sequencia zero vetorialmente.

5. Componentes em função de alfa

 alfa= 1|120º e ja foi citada no arquivo de título Introdução circuitos elétricos trifáficos.

Seja a sequencia desbalanceada: [Va, Vb, Vc](vetores), então:

V0= 1/3*[Va+Vb+Vc];

V+=1/3*[Va+ alfa*Vb + alfa^2*Vc];

V-=1/3*[Va + alfa^2*Vb + Vc].

Vdesbalanceada= V0 +( V+) + V-.

Isto pode ser estendido para as três fases do sistema e também para a corrente, possibilitando uma descomplexação de resolução de alguns sistemas.

6. Biliografia

OLIVEIRA, C. C. B.; SCHMIDT, H. P.; KAGAN, N. ;ROBBA, E. J. Introdução aos Sistemas de Potência, Componentes Simétricas. Editora Egard Bluncher. São Paulo, 1996.

Introdução aos circuitos trifásicos equilibrados

1. Introdução

As primeiras linhas de transmissão de energia elétrica surgiram no final do século XIX, e, inicialmente, destinavam-se eclusivamente ao suprimento de sistemas de iluminação. A utilização destes sistemas para o acionamento de motores elétricosfez com que as "companhias de luz" se transformassem em "companhias de força e luz". Estes tipos de sistemas operavam em baixa tensão e corrente contínua, e foram rapidamente substituidos por linhas monofásicas em corrente alternada. Dentre os motivos que proporcionaram essa mudança, podemos citar: (i) o uso dos transformadores, que possibilitou a transmissão de energia elétrica em níveis de tensão muito maiores do que aqueles utilizados na geração e na carga, reduzindo as perdas no sistema, permitindo a transmissão em longas distâncias, e (ii) o surgimento de geradores e motores em corrente alternada, construtivamente mais simples e mais baratos que as máquinas em corrente contínua. Dentre os sistemas em corrente alternada, o trifásico tornou-se o mais conveniente, por razões técnicas e econômicas (como a transmissão de potência com menor custo e a utilização dos motores de indução trifásicos), e passou a ser o padrão para a geração, transmissão e distribuição de energia em corrente alternada. Por outro lado, as cargas ligadas aos sistemas trifásicos podem ser trifásicas ou monofásicas. As cargas trifásicas normalmente são equilibradas, ou seja, são constituidas por três impedâncias iguais, ligadas em estrela ou triângulo. As cargas monofásicas, como por exemplo as instalações residenciais, por sua vez, podem introduzir desequilibrios ao sistema, resultando em cargas trifásicas equivalentes desequilibradas.

2. Definições

• Seja v(t)= Vmáx*sen(wt+teta), o seu valor eficaz pode ser definido como: Vef=Vmáx/sqrt(2);
• Sistema de tensões trifásicos simétrico: Sistema trifásico em que as tensões nos terminais dos geradores são senoidais, de mesmo valor máximo, e defasadas entre si 120º elétricos, veja:

             Va=Vmáx*sen(wt);

             Vc=Vmáx*sen(wt-120);

             Vc=Vmáx*sen(wt+120);

Observe na figura abaixo um exemplo, onde Vmáx=311V.

Figura 1. Três fases com amplitude máxima de 311V e período de 2*pi.

• Sistemas de tensões trifásico assimétrico: sistema trifásico em que as tensões nos terminais dos geradoes nao atendem a pelo menos uma das condições apresentadas no subitem anterior;
• Linha (ou rede) trifásica de equilibrada: Linha (ou rede) trifásica, consituida por 3 ou 4 fios (3fios de fase ou 3 fios de retorno), na qual se verificam  as seguintes relações: 

              -Impedâncias próprias dos fios de fase iguais entre si;

              -Impedâncias mútuas entre os fios de fase iguais entre si;

             -Impedâncias mútuas entre os fios de fase e o fio de retorno iguais (para sistema a 4 fios).

• Linha (ou rede) trifásica desequilibrada: Linha (ou rede) trifásica, constituida por 3 ou 4 fios(3 fios de fase ou 3 fios de fase e 1 de retorno), na qual não se verifica pelo menos uma das relações ja citadas por sistemas equilibrados; 
• Carga Trifásica equilibrada: carga trifásicas constituidas por 3 impedâncias complexas iguais, ligadas em estrela ou em triângulo;
• Carga Trifásica desequilibrada: carga trifásica na qual não se verifica a condição descrita anteriormente. 

3. O operador alfa

Ao definirmos o sistema trifásico, percebe-se, que as grandezas que os caracterizam , há uma notação de fase de +-120º; portanto é bastante evidente que pensemos em um operador que , aplicaco um fasor, perfaça tal rotação de fase. Assim, defini-se o operador alfa, que é um número complexo com módulo unitário e argumento 120º, de modo que, quando aplicado a um fasor qualquer, transforma-o em outro de mesmo módulo  e adiantado 120º, logo:

alfa = 1|120º= -1/2 +j*(sqrt(3)/2)

3.Tipos de ligações

Figura 2. Maneira esquemática de três enrolamentos de um gerador ou carga trifásica.

Os terminais destes enrolamentos são ligados para diminuir o número de linhas necessárias para as conexões em relação às cargas. Desta maneira pode-se ter dois tipos de ligações que são apresentadas nas duas próximas seções. Nomenclatura:

•  Tensão de linha: é a tensão entre duas fases;
•  Tensão de fase: é a tensão no enrolamento ou na impedância de cada ramo;
•  Corrente de linha: é a corrente na linha que sai do gerador ou a corrente solicitada
pela carga;
•  Corrente de fase: é a corrente no enrolamento do gerador, ou na impedância de cada
ramo.

3.1 Ligação em Estrela ou Y

Figura 3. Ligação em estrela.

Quando um gerador ou carga tem seus enrolamentos ligados em Y, as tensões de linha são diferentes das tensões de fase, e as correntes de linha são iguais às correntes de fase, por definição, temos que:

Vl=sqrt(3)*Vf, il=if. 

Para sistemas equilibrados não é necessária a utilização de um aterramento no neutro, no entando, se apenas uma impedância for diferentes das outras, ou seja, um sistema desequilibrado é necessária a utilização do mesmo, pois a soma das tensões no ponto em comum não será mais igual a zero.

3.2 Ligação em triângulo ou delta

Figura 4. Ligação em delta ou triângulo

Quando um gerador ou carga estão ligados em delta, as tensões de linhas são iguais as tensões de fase, porém, as correntes de linha são diferentes das correntes de fase, por definição, temos que:

Vl=Vf,  Il=sqrt(3)*If.

Por não possuir um ponto em comum, não utiliza-se um fio para retorno, porém em outras configurações projetistas aterravam um dos terminais, perdendo assim uma fase no sistema.

As ligações em estrela e triângulo são bastante utilizadas em transmissão e distribuição de energia elétrica. onde deste a subestação com tensão de saída 13kV é utilizada a ligação em delta  até o primário do transformador da rede de distribuição, e a ligação em estrela na saída do secundário do mesmo. Tal utilização, possui uma lógica considerável , pois nos diferentes terminais do secundário do transfomador são distribuidas cargas diferentes, necesstando da utilização do fio de retorno no ponto em comum. 

4. Biliografia

OLIVEIRA, C. C. B.; SCHMIDT, H. P.; KAGAN, N. ;ROBBA, E. J. Introdução aos Sistemas de Potência, Componentes Simétricas. Editora Egard Bluncher. São Paulo, 1996.

Fasores

1. Definição

Fasores, são na realidade vetores que giram em uma determinada velocidade em um círculo trigonométrico, dando origem as funções senoidais. Então toda função senoidal pode ser representada por um fasor. Os fasores possuem muitas aplicações em sistemas de potências.

2. Por que usar fasores?

A notação fasorial simplifica a resolução de problemas envolvendo funções senoidais no
tempo.

3. Quem inventou fasores?

O uso de números complexos para resolver problemas em circuitos de corrente alternada foi apresentado pela primeira vez por Charles Proteus Steinmetz em um artigo de 1893. Ele nasceu em Breslau, na Alemanha, filho de um ferroviário. Tornou-se um gênio da ciência apesar de ser um deficiente físico de nascença e ter perdido a mãe com apenas 1 ano de idade. Assim com seu trabalho sobre as leis da histerese atraíram a atenção da comunidade científica, suas atividades políticas na Universidade de Breslau atraíram a polícia política. Foi forçado a fugir da Alemanha sem conseguir concluir seu trabalho de doutorado. Trabalhou em inúmeras pesquisas nos Estados Unidos, principalmente na General Electric Company. A GE havia sido fundada por Thomas Edison que a dirigiu entre 1876 a 1892. O período de 1892 a 1923 ficou conhecido como sendo a Era Steinmetz, por razões óbvias. Seu “paper” sobre números complexos revolucionou a análise de circuitos AC apesar de terem dito (naquela época) que ninguém, exceto Steinmetz, entendia o método.

4. Representação Fasorial

A representação fasorial é simples, apesar de se basear na teoria dos números complexos. Lembre-se que toda função senoidal pode ser escrita por:

v(t) = Vmáx*sen(wt + fi)

Quando colocamos esta função em um círculo trigonométrico, e a fazemos girar com uma velocidade angular w, temos a função senoidal originada. Observe a figura 1. 

figura 1. Representação de uma senóide em fasores.

A representação de um fasor no plano complexo é muito simples, basta transladarmos o fasor do circulo trigonométrico para o plano complexo, atentos à fase inicial do fasor. Observe a figura 2.

figura 2. Representação de um fasor em um plano complexo.

No plano complexo o fasor pode ser representado por um número complexo Z, que possui uma parte Real a, e uma parte imaginária b. Podemos também representá-lo através de seu  módulo  (tamanho  do  fasor)  e  seu  ângulo  (fase  do  fasor).  Esta  duas  formas  de representação  dão  origem  as  formas  retangular  e  polar  de  se  representar  um  número complexo discriminadas a seguir.

4.1 Representação Retangular

Na forma retangular o número complexo (nosso fasor) é representado a seguinte forma:

Z = {parte real} + j {parte imaginária} (Isto vem da relação de Euler, pesquisem).

Observe que o termo j representa na teoria dos números complexos a raiz de −1, porém em nosso estudo, somente será utilizado para identificar a parte imaginária de uma notação fasorial.

4.2 Representação Polar

Na forma polar o número complexo (nosso fasor) é representado da seguinte forma:
Z = ∣Z∣    |_ fi

Onde ∣Z∣ representa o módulo do número complexo, ou seja, o comprimento do fasor, e
  |_ fi  representa a fase inicial do fase.

Um  número  complexo  Z  qualquer,  pode  ser  representado  tanto  em  sua  forma retangular, como em sua forma polar, e a transformação de uma forma para outra não passa de uma simples transformação trigonométrica. Observe na figura 2 novamente.

O nosso número complexo Z pode ser representado pela sua forma polar, sendo então:
Z=∣Z∣  |_ fi


Observe que a (parte Real) e b (parte Imaginária) são os catetos de um triângulo retângulo  e  Z  (módulo  do  fasor)  a  hipotenusa.  Sendo  assim,  aplicando  um  pouco  de trigonometria, teremos:

A parte Real a do número complexo como sendo a projeção horizontal do fasor, dada
por:

a=∣Z∣cosfi

Já a parte Imaginária b pode ser calculada como sendo a projeção vertical do fasor, dada
por:

b=∣Z∣senfi

Podemos  também  fazer  o  contrário,  aplicando  o  Teorema  de  Pitágoras,  podemos calcular o módulo Z do número complexo, ou fasor, conhecendo suas partes Real e Imaginária.
Então:

Z=sqrt(a^2+b^2)

Já a fase fi pode ser obtida através da função trigonométrica tangente, pois:

arctgfi=b/a

Memórias semicondutoras mais comuns

1. Introdução

Um circuito que permite o armazenamento de um ou mais bits por tempo indeterminado é denominado memória. Tais bits podem ser acessados (procedimento de leitura) ou substituídos (procedimento de escrita ou armazenamento).

2. Tipos de Memória

O desenvolvimento e expansão da tecnologia de fabricação de circuitos integrados para armazenamento de dados determinaram o grande avanço dos computadores digitais. Até 1970, as memórias de núcleo de ferrite eram de uso corrente. Entretanto, por causa do seu alto custo, grande consumo e limitações em velocidade forma substituídaspelas memórias semicondutoras que lideram o mercado até hoje.

3 Características gerais

A seguir apresentamos algumas características que podem ser usadas quando queremos avaliar o desempenho de um determinado dispositivo de memória.

3.1 Densidade:

Número de bits armazenados por área física. Está relacionado à capacidade total de armazenamento.

3.2 Velocidade:

Se refere à rapidez com que os dados podem ser acessados (lidos) ou armazenados (escritos).

3.3 Potência:

Potência consumida ou dissipada pela memória.

3.4 Custo:

Custo para armazenamento por bit, ou seja, o valor do semicondutor dividido pelo número de bits que pode armazenar. Outras características são fornecidas especificamente por cada fabricante de circuito integrado, tais como os sinais de comandos, parâmetros elétricos e imunidade a ruídos.

4. Definições

No manuseio com memórias a semicondutor é comum o uso de expressões referentes aos modos de operação, aos terminais de entrada/saída, à capacidade de armazenamento e a sinais de controle.

Escrita (Write): Termo usado para o procedimento de armazenamento de uma informação binária na memória. Em uma operação de escrita, a informação colocada nas entradas de dados é copiada para uma posição ou endereço da memória.

Leitura(Read): Termo usado para o procedimento de obtenção, ou busca, de uma informação armazenada em uma memória. Em uma operação de leitura, a informação é armazenada na posição correspondente às entradas de endereço e copiada nos bits de saída.

Conteúdo ou palavra: Corresponde à informação – grupo de bits – armazenada em uma determinada posição da memória.

Entradas de endereço (Address): Correspondem aos terminais do circuito integrado usados para identificar um certa posição de memória.

Entradas de dados (Datas): Correspondem aos terminais do circuito integrado usados para introdução dos dados a serem armazenados.

Saída de dados (Outputs): Correspondem aos terminais do circuito integrado onde serão colocados os dados armazenados em uma dada posição da memória, em uma operação de leitura.

Nibble: Termo usado para uma informação binária com 4 bits.

Byte: Termo usado para uma informação binária com 8 bits.

Kilobyte: Termo usado para um conjunto de 1024 bytes

Memória volátil: É aquela que perde o seu conteúdo na ausência de alimentação.

Memória Fixa: É aquela que não perde o seu conteúdo na ausência de alimentação.

Habilitação de chip (Chip enable): Uma entrada do chip que, quando polarizada convenientemente, habilita ou inibe a operação do chip provocando uma redução na potência dissipada e impedindo a operação escrita/leitura. Normalmente tais entradas são designadas por:

CE (quando a habilitação é com nível 1) ou CE (quando a habilitação é

com nível 0). Nem todos os chips possuem este tipo de entrada.

Seleção do chip (Chip select): Uma entrada do chip usada para conectar ou desconectar – colocar as saídas em alta impedância – as entradas/saídas a um barramento. Normalmente tais entradas são designadas por

CS (quando a habilitação é com nível 1) ou CS (quando a habilitação é com nível 0). A maioria dos chips possue este tipo de entrada. Em alguns circuitos as entradas CE e CS são combinadas em uma única entrada.

5. Classificação

O critério para a escolha das memórias disponíveis no mercado é descrito a seguir:

5.1 Quanto à forma de acesso

As principais formas de acesso à uma posição de memória podem ser do tipo Aleatório ou seqüencial.
Nas memórias do tipo aleatório, qualquer posição pode ser acessada aleatoriamente, ou seja, pode ser lida diretamente sem a necessidade da leitura das demais posições. Caso, por exemplo, das memórias RAM e ROM, descritas a seguir. Nas memórias seqüenciais, uma posição não pode ser feita diretamente. Neste caso, várias posições da memória são acessadas até a informação desejada, é o caso das fitas magnéticas, dos registradores de deslocamento e das memórias de bolha magnética. O tempo para ler uma informação em uma memória seqüencial depende da posição de armazenamento.

5.2 Quanto à tecnologia

Normalmente as memórias são do tipo bipolar, MOS (semicondutor de óxido metálico) ou CMOS (semicondutor de óxido metálico complementar). No caso das memórias bipolares, encontramos com facilidade circuitos TTL padrão, Schottky e ECL. No caso dos circuitos MOS, os de canal N são os mais usados por favorecerem grande densidade a custo baixo. As memórias CMOS são mais lentas do que as NMOS e bipolares, contudo são de menor consumo e maior imunidade ao ruído.

5.3 Quanto a capacidade de armazenamento

Este parâmetro está relacionado ao número total de bits ou palavras que a memória pode armazenar. Por exemplo, uma memória com 1024 X 8 corresponde a uma capacidade de 1024 palavras, cada uma com 8 bits, ou seja, com capacidade para 8192 bits.

5.4 Quanto ao tipo de saída

As saídas das memórias podem ser do tipo Totem-polem, Open collector ou Treestate. As memórias do tipo Three-state são as mais usadas por permitirem, de forma eficiente, a criação de bancos de memória descritos adiante.

6. Memórias RAM

As memórias RAM (Random Access Memory) são do tipo volátil e permitem o acesso aleatório – para escrita ou leitura – a qualquer uma das suas posições. São usadas para armazenar temporariamente as informações, tais como os programas corrente do usuário. Também são conhecidas como memórias read/write porque permitem a leitura e escrita de dados. tempo de acesso para cada posição das memórias RAM é aproximadamente igual. A seguir apresentamos algumas características das memórias RAM.

6.1 RAM estática

Um dispositivo de armazenamento volátil com tecnologia bipolar ou MOS (NMOS e CMOS) onde os bits são armazenados em uma estrutura tipo flip-flop.

6.2 RAM dinâmica

Um dispositivo de armazenamento volátil com transistores MOS, onde a estrutura de armazenamento é capacitiva. Neste caso, a informação se perde com o tempo, independentemente da manutenção da alimentação – razão do nome dinâmica. Por esta razão, precisa passar periodicamente por um processo de refrescamento (refreshing), onde as informações são lidas e regravadas (recarga dos capacitores). Isto implica na necessidade de circuitos externos específicos. Normalmente a operação de refrescamento é feita durante uma operação de leitura, através de um circuito projetado especificamente para este fim.Apesar de a necessidade de refrescamento, a grande vantagem das memórias dinâmicas sobre as estáticas é permitir uma grande densidade de fabricação dos chips -quatro vezes maior que as estáticas – com baixo consumo que é da ordem de três a cinco vezes menor do que as estáticas.

7. Memórias ROM

As memórias ROM (Read Only Memory) são do tipo fixa e permitem o acesso aleatório a qualquer uma das suas posições. Permite apenas leitura do conteúdo e é destinada a guardar uma informação de forma permanente. A informação é gravada pelo fabricante através da queima de diodos em uma matriz (Figura 3) conforme solicitação do usuário. Podem ser do tipo bipolar ou MOS. Quando a matriz é manufaturada, diodos são colocados em todos os cruzamentos. Através de um processo próprio, os diodos são queimados convenientemente. Se, a cada instante, apenas uma das linhas x,y,z ou w assume nível 1, os diodos destas linhas são polarizados diretamente através dos resistores

7.1 PROM – ROM programável pelo usuário

Uma memória bipolar onde o armazenamento é feito pelo usuário – agilizando os processos industriais – através da queima de diodo ou de um fusível colocado em série com o diodo, ou seja, o armazenamento não ocorre durante a fabricação do chip. O procedimento para a queima dos diodos é fornecido pelos fabricantes e específico para cada circuito. Note que, uma vez programada, a memória não pode ser apagada para correções ou nova utilização.

7.2 ROM alterável

Memórias que podem ser programadas e reprogramadas pelo usuário, ou seja, em casos de erros de programação o chip não precisa ser descartado, como nas memórias PROM. A programação é feita pela aplicação de sinais elétricos convenientes em pinos do chip e indicados pelos fabricantes.

7.2.1 EPROM – Erasable PROM

Um dispositivo com arquitetura similar às PROM, mas do tipo MOS, onde o conjunto inteiro das informações armazenadas pode ser apagado através da aplicação de raios ultravioletas em uma janela de quartzo localizada em uma das faces do chip. É implementada usando o princípio de armazenamento do tipo Floating-gate Avalanche Injection MOS (FMOS). Em um transistor PMOS, um potencial negativo aplicado ao gate produz um canal de condução de cargas positivas (buracos) entre a fonte e o dreno. No transistor FMOS, para causar a condução da fonte para o dreno e o conseqüente armazenamento de cargas negativas no gate, devemos aplicar um pulso da ordem de 25 a 50 volts na junção p-n (dreno/fonte). Cerca de 20 a 30% da carga armazenada se perde depois de 20 anos.

7.2.2 E2PROM – Electrically Erasable ROM

Neste tipo de memória, tanto a gravação como a desgravação é feita por sinais elétricos. O principal meio de implementação é o Metal Oxide Semicondutor NMOS. Na verdade é um MOS modificado onde é usado um capacitor de carga que alcança um tempo de armazenamento entre 20 a 30 anos. Uma tensão elevada e da ordem de 20V entre porta e dreno provoca a indução de cargas nas portas flutuantes que ali permanecem quando a tensão é retirada. Uma tensão inversa apaga a carga armazenada. Desta forma, tanto a programação como o apagamento pode ser feito por posições de memória. Não é preciso apagar toda a memória para corrigir algum dado ou usar a memória com novos valores. Os tempos de chaveamento em uma memória são complicados. Tais tempos são

devido aos atrasos nas portas internas, às restrições impostas pelos tempos de manutençãon e preparação de flip-flops e ao grande número de terminais.

Existem outros tipos de memérias, sóque não irei entrar em detalhes sobre elas enste momento.

 

 

 

 

A didática no estudo

Para qualquer aluno de qualquer curso é imprescindível a utilização do ensino e do estudo de maneira didática. O ensino disponibilizado em sala de aula é muito importante, porém, deve-se ressaltar que o apenas ele não é suficiente. É necessário o estudo fora de sala também para que se gerem e se esclareçam dúvidas entre os alunos. Pensando nisto, eu estou disponibilizando a bibliografia dos livros que se mostraram bem interessantes durante as cadeiras em que paguei e algumas que estou estudando por fora.

Algebra Vetorial e Geometria Analítica - Algebra Vetorial com Geometria Analítica. Jacir J. Venturi.

Algebra Linear- Algebra Linear. Alfredo Steinbruch .

Cálculo Diferencial e Integral I - Cálculo, Volume I. James Stuart.

Calculo Diferencial e Integral II- Cálculo, Volume I. James Stuart.

Calculo Diferencial e Integral III- Cálculo, Volume III. George B. Thomas.

Cálculo Numérico- Cálculo Numérico com Aplicações. Barroso.

Equações Diferenciais Ordinárias- Equações Diferenciais Elementares. Boyce.

Física I- Física, Volume I. Moysés Nussenzveig.

Física II- Física, Volume II. Halliday.

Física III- Física, Volume III. Halliday.

Eletricidade Aplicada- Eletricidade Básica. Milton Gussow.

Algoritmos e Lógica Programação- Apostila de lógica de programação-Algoritmos-. Flávia Pereira de Carvalho.

Programação Estruturada- Apostila de C. UFMG.

Circuitos Lógicos- Elementos de Eletrônica Digital. Idoeta; Capuano.

Sistemas Digitais- Sistemas Digitais, Tocci.

Sinais e Sistemas- Sinais e Sistemas. Oppenheim.

Arquitetura de Computadores- Arquitetura e Organização de Computadores. Willian Stallings.

Fenômenos de Transporte- Fenômenos de Transporte. Fox.

Circuitos Elétricos- Fundamentos de Circuitos Elétricos. Sadiku.

Processamento Digital de Sinais- Processamento Digital de Sinais. Paulo Diniz.

Processamento Digital de Sinais- Processamento Digital de Sinais. Proakis.

Materiais Elétricos- Ciência dos Materiais. Callister.

Eletromágmetismo-Fundamentos de Eletromágnetismo- Sadiku.

Máquinas Elétricas- Máquinas Elétricas e Transformadores. Kosow.

Máquinas Elétricas- Máquinas Elétricas. Fitzgerald.

Eletrônica de Potência- Power Eletronics, Converters, Applications and Design. Mohan.

Sistemas de Potência- Introdução aos sistemas de potências- Robba.

Uma breve apresentação

Boa Noite, sou José Diniz Neto, tenho 19 anos e sou estudante do quarto periodo de engenharia elétrica do Instituto Federal de Educação, Ciência e Tecnologia da Paraíba (IFPB). Meu objetivo neste blog é tentar mostrar um pouco o que faz e o que estuda um aluno de engenharia elétrica, tanto na graduação, quanto nos projetos de pesquisa.

A gama de áreas a se seguir neste curso é imensa, portanto, é interessante o aluno se focar na área em que ele deseje atuar. Particularmente pretendo seguir a área de eletrotécnica, com foco em sistemas de potência, máquinas elétricas, controle, eletrônica de potência e fontes alternativas de energia, pois de um certo modo todos esses subitens estão interligados e trabalhar com energia é um sonho de infância meu.